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南通调压可控硅

更新时间:2025-09-27      点击次数:15

可控硅有三个极----阳极(A)、阴极(C)和控制极(G),管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN 结,与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引入,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。可控硅应用时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。整流器***用于各种形式的整流电源中。南通调压可控硅

    1.判定栅极G将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大,并且交换表笔后仍为无穷大,则证明此脚为G极,因为它和另外两个管脚是绝缘的。2.判定源极S、漏极D由图1可见,在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。3.测量漏-源通态电阻RDS(on)将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同,测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=,大于(典型值)。4.检查跨导将万用表置于R×1k(或R×100)档,红表笔接S极,黑表笔接D极,手持螺丝刀去碰触栅极,表针应有明显偏转,偏转愈大,管子的跨导愈高。注意事项:(1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管,测量时应交换表笔的位置。(2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管,本检测方法中的1、2项不再适用。(3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块。盐城封装可控硅可控硅调整器采用移相式触发方式、适用于阻性负载、感性负载、变压器一次侧等各种负载类型。

工作原理

本控制器输出触发脉冲必须同时具备两个条件,分别是:控制输入有效和可控硅两端电压为零,两个条件缺其中任何一个都不能输出触发脉冲。控制信号有效的较早周波检测过零,过零条件满足即输出触发脉冲,在以后的控制信号有效的时间段内持续输出触发脉冲。


性能特点

高可靠的可控硅电压过零触发,三相**控制,脉冲隔离输出,安全可靠。

有自同步功能,免去传统可控硅电路认定同步和相序的麻烦,使用与调试方便。

适用于阻性负载、感性负载、容性负载等类型。

一体化结构,接线简单,互换性好。

驱动能力强,每路可以输出600毫安的电流,6V触发电压,可以驱动4000A可控硅。

工作可靠,有非常强的抗干扰能力,适用性强,耐压高。


    新型跟.踪式可控硅直流稳压电源信息时代里,BP机已成为常用的通信工具。目前,我国BP机总台的发射设备都采用进口设备,其输出电压为13.8V,电流为15~20A。进口电源不带可控硅部分,而我国电网波动较大,为此设计了这种低成本稳压电源。该设计在串联反馈调整型稳压电源的基础上加装了可控硅相位控制装置,用调整管两端压降来控制可控硅触发的导通角,维持调整管压降不变,从而设计出跟.踪式大功率直流稳压电源。该稳压电源限制了调整管功耗,实现了大功率。该稳压电源主要由单相半控桥整流滤波、线性稳压器及可控硅相位控制等环节组成,并加装了过流保护、短路保护、过热保护装置及显示部分。在220V电网电压波动±15%情况下,输出电压13.8V,输出电流可达20A。由于采用了可控硅相位控制技术,能将调整管两端压降限制在3V左右,功耗不大于40W,提高了电源效率。当输出电流超过20A时,限流保护可减小输出电流。若输出短路,短路保护输出***信号关断可控硅。调整管温度高于60℃时启动电扇,温度低于40℃时关断电扇,温度高于80℃时关断可控硅。该电源采用集成可控硅触发器,双运算放大器及具有温度补偿的稳压管作基准源,并配有三端稳压器作为辅助电源,实现了高精度。整流器/充电机应有输出滤波器以将加在蓄电池的纹波电压减少到**小。

    本实用新型涉及一种单相交流固态调压器。背景技术:单相交流固态调压器是集同步变压器、相位检测电路、移相触发电路和输出可控硅于一体,当改变控制电压的大小,就可改变输出可控硅的触发相角,即实现单相交流电的调压。根据输出可控硅器件不同分一只双向可控硅的普通型,两只单向可控硅反并联的增强型和一只单向可控硅的半波型等三类。按单相交流负载的额定电压分220V和380V两类。主要用于工业电炉、电热烘箱、灯光照明、变压器原边初级调压、风机水泵、力矩电机等设备中进行调温、调光、调压、调速的控制。现有的单相交流固态调压器自由调节输出负载的能力较差,无法满足电气化设备的发展需求。技术实现要素:本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的上述不足,而提供一种结构设计合理,自由调节输出负载的能力较好的单相交流固态调压器。本实用新型解决上述问题所采用的技术方案是:一种单相交流固态调压器,其特征在于:其电路结构如下:整流桥的其中两个脚连接交流电源的两端,整流桥的其余两脚分别连接电阻R4的一端和稳压二极管的正极,稳压二极管的正极连接电容C4的一端和变压器B2输入端2。为了减小器件因过压击穿造成损坏的可能性和提高整流装置的可靠性,可采用硅雪崩整流器。苏州单可控硅

可控硅触发板用于单相、三相电焊机控制、电解电镀控制等。南通调压可控硅

    P3电位器调整。调整范围*电压限制:板内P1电位器或外接10KΩ电位器调整。调整范围0~****电流限制(选件):内置电流变换器,外接10KΩ电位器调整。调整范围20%~****过流报警(选件):内置电流变换器,板内P2电位器调整。调整范围***~150%*散热器超温保护:75℃温度开关,常闭接点动作时间:

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